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    在2010年，整个半导体产业经历了非常高的景气阶段，全球各主要经济体的半导体产品出货量都屡创新高，进入3季度以后分辨率，需求依然非常强劲，出货量仍在高点。随着中国工业化的深入以及经济持续发展立式金相显微镜，功率器件在未来几年仍将保持增长。而处在增长期的IGBT作为第三代功率器件图像分析，由于其开关快、损耗低、通态电流较大等诸多优点，将在未来几年保持高速的增长。

    值得注意的是，由于变频家电在整个国内市场的渗透率还比较低，所以还有巨大的发展空间。在汽车电子方面，IGBT已经全面替代达林顿管成为点火装?的首选器件对焦，而IGBT也将随着汽车在国内的发展保持较高速度的增长。此外重庆显微镜，作为关键的功率半导体器件，IGBT在电力传送、列车牵引、太阳能及风能发电以及新能源汽车方面的应用将明显受益于国家的智能电网、高铁建设及新能源建设等宏观政策实验室。

    未来几年随着中国工业化持续深入，IGBTZui大的应用领域工业控制领域将保持持续的较高速度增长。同时，由于电磁炉、微波炉、变频家电以及数码相机等产品的快速发展便携显微镜，消费电子已经成为IGBT的第二大应用领域，在产品数量上甚至已经超过了工控领域IGBT数量，但是价格相对较低，所以市场规模低于工控领域。

    随着我国智能电网、高铁、新能源汽车以及节能家电等产业的发展，对５英寸及６英寸晶闸管、IGCT（集成门极换流晶闸管）、IGBT的需求量迅速增大，一个巨大市场正在形成。目前，中国已成为全球Zui大的电力电子器件消费市场镜头。仅２００９年电力电子器件市场规模达到１２１５．３亿元暗视场。据统计，2009年我国IGBT的市场规模为53亿元左右。更有专家预计，未来几年IGBT市场规模将年增20％~30％。但由于国内企业的生产技术还不成熟，目前整个ＩＧＢＴ市场大部由国外厂商占据电脑显微镜,如德国西门康、英飞凌，日本富士、三菱等。面对巨大市场，国内企业显得力不从心。由于关键技术被国外大公司垄断，ＩＧＢＴ芯片完全依赖进口，国内难以实现突破，成本无法降低。