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　　电子显微镜是人类认识自然，特别是微观世界的有力兵器。近年来，由于在电子透镜像差校正方面的主要突破，使得无论在电镜制作及应用研究方面，都有惊人的进展。电子显微镜目前正处于革命性发展阶段，其标记是分辨水平在进入本世纪之后有异乎寻常的提高，其点分辨率达到了亚埃（1埃=0.1 纳米）水平，已对和将对纳米科技、信息、生物等高科技领域产生有力的冲击。

　　电子显微镜的现状与展看

　　摘要: 本文简要先容了电子显微镜的现状与展望。透射电子显微镜方面主要有：高分辨电子显微学及原子像的观察，像差校正电子显微镜，原子尺度电子全息学，表面的高分辨电子显微正面成像，超高压电子显微镜，中等电压电镜，120kV,100kV分析电镜，场发射枪扫描透射电镜及能量选择电镜等，透射电镜将又一次面临新的重大突破；扫描电子显微镜方面主要有：分析扫描电镜和X射线能谱仪、X射线波谱仪和电子探针仪、场发射枪扫描电镜和低压扫描电镜、超大试样室扫描电镜、环境扫描电镜、扫描电声显微镜、测长／缺陷检测扫描电镜、晶体学取向成像扫描电子显微术和计算机掌握扫描电镜等。扫描电镜的分辨本领可望达到0.2— 0.3nm并观察到原子像。

　　要害词：透射电子显微镜 扫描电子显微镜 仪器制作与发展

　　电子显微镜(简称电镜，EM)经过五十多年的发展已成为现代科学技巧中不可缺乏的主要工具。我国的电子显微学也有了长足的进展。电子显微镜的创制者鲁斯卡(E.Ruska)教授因而获得了1986年诺贝尔奖的物理奖。

　　电子与物资相互作用会产生透射电子，弹性散射电子，能量损失电子，二次电子，背反射电子，接收电子，X射线，俄歇电子，阴极发光和电动力等等。电子显微镜就是应用这些信息来对试样进行形貌观察、成分分析和结构测定的。电子显微镜有很多类型，主要有透射电子显微镜(简称透射电镜，TEM)和扫描电子显微镜 (简称扫描电镜，SEM)两大类。扫描透射电子显微镜(简称扫描透射电镜，STEM)则兼有两者的性能。为了进一步表征仪器的特色，有以加速电压区分的，如：超高压(1MV)和中等电压(200—500kV)透射电镜、低电压(～1kV)扫描电镜；有以电子枪类型区分的，如场发射枪电镜；有以用处区分的，如高分辨电镜，分析电镜、能量选择电镜、生物电镜、环境电镜、原位电镜、测长CD-扫描电镜；有以激发的信息命名的，如电子探针X射线微区分析仪(简称电子探针，EPMA)等。

　　半个多世纪以来电子显微学的斗争目的重要是力求察看更渺小的物体结构、更渺小的实体、甚至单个原子，并获得有关试样的更多的信息，如标征非晶和微晶，成分散布，晶粒外形和尺寸，晶体的相、晶体的取向、晶界和晶体缺点等特点，以便对资料的显微结构进行综合分析及标征研究〔3〕。近来，电子显微镜 (电子显微学)，包含扫描隧道显微镜等，又有了长足的发展。本文仅讨论应用普遍的透射电镜和扫描电镜，并就上列几个方面作一扼要先容。部分透射电镜和扫描电镜的主要性能可参阅文献。

　　透射电子显微镜

　　1、高分辨电子显微学及原子像的观察

　　材料的宏观性能往往与其本身的成分、结构以及晶体缺陷中原子的地位等亲密相干。观察试样中单个原子像是科学界长期寻求的目的。一个原子的直径约为 1千万分之2—3mm。因此，要分辨出每个原子的地位需要0.1nm左右的分辨本领，并把它放大约1千万倍。70年代初形成的高分辨电子显微学 (HREM)是在原子标准上直接观察分析物资微观结构的学科。计算机图像处理的引进使其进一步向超高分辨率和定量化方向发展，同时也开拓了一些崭新的运用领域。例如，英国医学研究委员会分子生物试验室的A.Klug博士等发展了一套重构物体三维结构的高分辨图像处理技术，为分子生物学开辟了一个崭新的领域。因而获得了1982年诺贝尔奖的化学奖，以表扬他在发展晶体电子显微学及核酸—蛋白质复合体的晶体学结构方面的出色贡献。

　　用HREM使单个原子成像的一个严重艰苦是信号／噪声比太小。电子经过试样后，对成像有贡献的弹性散射电子(不损失能量、只转变活动方向)所占的百分比太低，而非弹性散射电子(既丧失能量又转变活动方向)不相关，对成像无贡献且形成亮的背底(亮场)，因而非周期结构试样中的单个原子像的反差极小。在档往了未散射的直透电子的暗场像中，由于提高了反差，才干观察到其中的重原子，例如铀和钍—BTCA中的铀(Z＝92)和钍(Z＝90)原子。对于晶体试样，原子阵列会增强成像信息。采用超高压电子显微镜和中等加速电压的高亮度、高相关度的场发射电子枪透射电镜在特定的离焦条件(Scherzer欠焦)下拍摄的薄晶体高分辨像可以获得直接与晶体原子结构相对应的结构像。再用图像处理技巧，例如电子晶体学处理方式，已能从一张200kV的JEM- 2010F场发射电镜(点分辨本领0.194nm)拍摄的分辨率约0.2nm的照片上获取超高分辨率结构信息，胜利地测定出分辨率约0.1nm的晶体结构。

　　2.像差校订电子显微镜

　　电子显微镜的分辨本事由于受到电子透镜球差的限制，人们力图像光学透镜那样来减少或打消球差。但是，早在1936年Scherzer就指出，对于常用的无空间电荷且不随时光变更的旋转对称电子透镜，球差恒为正值。在40年代由于统筹电子物镜的衍射和球差，电子显微镜的理论分辨本领约为0.5nm。校正电子透镜的重要像差是人们长期寻求的目的。经过50多年的尽力，1990年Rose提出用六极校正器校订透镜像差得到无像差电子光学体系的方式。Zui近在CM200ST场发射枪200kV透射电镜上增添了这种六极校正器，研制成世界上第一台像差校正电子显微镜。电镜的高度仅提高了24cm，而并不影响其它性能。分辨本领由0.24nm进步到0.14nm。在这台像差校正电子显微镜上球差系数减少至0.05mm(50μm)时拍摄到了GaAs〈110〉取向的哑铃状构造像，点间距为0.14nm。

　　3、原子标准电子全息学

　　Gabor在1948年当时难以校订电子透镜球差的情形下提出了电子全息的基础原理和方式。论证了假如用电子束制造全息图，记载电子波的振幅和位相，然后用光波进行重现，只要光线光学的像差准确地与电子光学的像差相匹配，就能得到无像差的、分辨率更高的像。由于那时没有相关性很好的电子源，电子全息术的发展相当迟缓。后来，这种光波全息思想利用到激光范畴，获得了极大的胜利。Gabor也因此而获得了诺贝尔物理奖。随着Mollenstedt静电双棱镜的发现以及点状灯丝，特殊是场发射电子枪的发展，电子全息的理论和试验研讨也有了很大的进展，在电磁场丈量和高分辨电子显微像的重构等方面取得了丰富的结果〔9〕。Lichte等用电子全息术在CM30

　　FEG/ST型电子显微镜(球差系数Cs＝1.2mm)上以1k×1k的慢扫描CCD相机，获得了0.13nm的分辨本领。目前，使用刚刚安装好的CM30

　　FEG/UT型电子显微镜(球差系数Cs＝0.65mm)和2k×2k的CCD相机，已到达0.1nm的信息极限分辨本领。

　　4、表面的高分辨电子显微正面成像

　　如何区分表面和体点阵周期从而得到试样的表面信息是电子显微学界一个长期关怀的问题。目前表面的高辨别电子显微正面成像及其图像处置已得到了长足的进展，胜利地揭示了Si〔111〕表面(7×7)重构的细节，不仅看到了扫描隧道显微镜STM能够看到的处于表面第一层的吸附原子(adatoms)，而且看到了顶部三层的所有原子，包含STM目前还难以看到的处于第三层的二聚物(dimers)，阐明正面成像法与目前以为Zui强有力的，在原子程度上直接视察表面构造的STM相比，也有其独到之处。李日升等以Cu〔110〕晶膜表面上察看到了由Cu-O原子链的吸附发生的(2×1)重构为例，采取表面的高分辩电子显微正面成像法，表明对于所有的强周期系统，均存在衬度随厚度呈周期性变更的现象，对一般厚膜也可进行高分辨表面正面像的观测。

　　5、超高压电子显微镜

　　近年来，超高压透射电镜的分辨本领有了进一步的提高。JEOL公司制成1250kV的JEM-ARM

　　1250／1000型超高压原子分辨率电镜，点分辨本领已达0.1nm，可以在原子程度上直接观察厚试样的三维结构。日立公司于1995年制成一台新的3MV超高压透射电镜，分辨本领为0.14nm。超高压电镜分辨本领高、对试样的穿透才能强(1MV时约为100kV的3倍)，但价钱昂贵，需要专门建造高大的试验室，很难推广。

　　6、中等电压电子显微镜

　　中等电压200kV\,300kV电镜的穿透才能分辨为100kV的1.6和2.2倍，本钱较低、效益／投进比高，因而得到了很大的发展。场发射透射电镜已日益成熟。TEM上常配有锂漂移硅Si(Li)X射线能谱仪(EDS)，有的还配有电子能量选择成像谱仪，可以分析试样的化学成分和构造。本来的高分辩和分析型两类电镜也有合并的趋势：用计算机把持甚至完整通过盘算机软件操作，采取球差系数更小的物镜和场发射电子枪，既可以获得高辨别像又可进行纳米标准的微区化学成分和结构剖析，发展成多功效高分辨分析电镜。JEOL的200kV

　　JEM-2010F和300kV JEM-3000F，日立公司的200kV HF-2000以及荷兰飞利浦公司的200kV CM200 FEG和300kV CM300 FEG型都属于这种产品。目前，国际上常规200kVTEM的点分辨本领为0.2nm左右，放大倍数约为50倍—150万倍。

　　7、120kV\,100kV分析电子显微镜

　　生物、医学以及农业、药物和食品产业等领域往往请求把电镜和光学显微镜得到的信息接洽起来。因此，一种在获得高分辨像的同时还可以得到大视场高反差的低倍显微像、操作便利、结构紧凑，装有EDS的计算机节制分析电镜也就应运而生。例如，飞利浦公司的CM120

　　Biotwin电镜配有冷冻试样台和EDS，可以观察分析反差低以及对电子束敏感的生物试样。日本的JEM-1200电镜在中、低放大倍数时都具有良好的反差，实用于材料科学和性命科学研究。目前，这种多用处120kV透射电镜的点分辨本领达0.35nm左右。

　　8、场发射枪扫描透射电子显微镜

　　场发射扫描透射电镜STEM是由美国芝加哥大学的A.V.Crewe教授在70年代初期发展起来的。试样后方的两个探测器分离逐点接受未散射的透射电子和全体散射电子。弹性和非弹性散射电子信息都随原子序数而变。环状探测器吸收散射角大的弹性散射电子。重原子的弹性散射电子多，假如进射电子束直径小于 0.5nm，且试样足够薄，便可得到单个原子像。实际上STEM也已看到了γ-alumina支撑膜上的单个Pt和Rh原子。透射电子通过环状探测器中心的小孔，由中心探测器接受，再用能量分析器测出其损失的特点能量，便可进行成分分析。为此，Crewe发展了亮度比一般电子枪高约5个量级的场发射电子枪 FEG：曲率半径仅为100nm左右的钨单晶针尖在电场强度高达100MV/cm的作用下，在室温时即可发生场发射电子，把电子束聚焦到0.2— 1.0nm而仍有足够大的亮度。英国VG公司在80年代开端生产这种STEM。Zui近在VGHB5 FEGSTEM上增长了一个电磁四极—八极球差校正器，球差系数由原来的3.5mm减少到0.1mm以下。进一步消除各种不稳固因素后，可看把100kV STEM的暗场像的分辨本领提高到0.1nm。应用加速电压为300kV的VG-HB603U型获得了Cu〈112〉的电子显微像：0.208nm的基础间距和0.127nm的晶格像。期看物镜球差系数减少到0.7mm的400kV仪器能到达更高的分辨本领。这种UHV-STEM仪器相当庞杂，难以推广。

　　9、能量选择电子显微镜

　　能量选择电镜EF-TEM是一个新的发展方向。在一般透射电镜中，弹性散射电子形成显微像或衍射名堂；非弹性散射电子则往往被疏忽，而近来已用作电子能量丧失谱分析。德国Zeiss-Opton公司在80年代末生产的EM902A型生物电镜，在成像系统中配有电子能量谱仪，选取丧失了必定特点能量的电子来成像。其重要长处是：可观察0.5μm的厚试样，对未经染色的生物试样也能看到高反差的显微像，还能获得元素散布像等。目前Leica与Zeiss合并后的LEO公司的EM912 Omega电镜装有Ω-电子能量过滤器，可以滤往形成背底的非弹性散射电子和不须要的其它电子，得到具有必定能量的电子信息，进行能量过滤会聚束衍射和成像，清楚地显示出本来被掩饰的微弱显微和衍射电子名堂。该公司在此基本上又发展了200kV的全主动能量选择TEM。JEOL公司也发展了带Ω-电子能量过滤器的JEM2010FEF型电子显微镜，点分辨本领为0.19nm，能量分辨率在100kV和200kV时分辨为2.1μm/eV和 1.1μm/eV。日立公司也报道了用EF-1000型γ形电子能量谱成像系统，在TEM中视察到了半导体动态随机存取存储器DRAM中厚0.5μm切片的清楚剖面显微像。

　　美国GATAN公司的电子能量选择成像系统装在投影镜后方，可对电子能量损失谱EELS选择成像。可在几秒钟内实现在线的数据读出、处理、输出、及时懂得图像的质量，据此自动调节有关参数，完成自动合轴、自动校正像散和主动聚焦等工作。例如，在400kV的JEM-4000EX电镜上用PEELS得到能量选择原子像，并同时完成EELS化学分析。

　　透射电镜经过了半个多世纪的发展已接近或到达了由透镜球差和衍射差所决议的0.1—0.2nm的理论分辨本领。人们正在摸索进一步打消透镜的各种像差〔20〕，在电子枪后方再增长一个电子单色器，研究新的像差校正法，进一步提高电磁透镜和全部仪器的稳固性；采用并进一步发展高亮度电子源场发射电子枪， X射线谱仪和电子能量选择成像谱仪，慢扫描电荷耦合器件CCD，冷冻低平和环境试样室，纳米量级的会聚束微衍射，原位实时分析，锥状扫描晶体学成像 (Conical Scan Crystallography)，全数字掌握，图像处理与现代信息传送技术实现远间隔操作观察，以及战胜试样本身带来的各种限制，透射电镜正面临着一个新的重大突破。

　　扫描电子显微镜

　　1、分析扫描电镜和X射线能谱仪

　　目前，使用Zui广的惯例钨丝阴极扫描电镜的分辨本事已达3.5nm左右，加速电压规模为0.2—30kV。扫描电镜配备X射线能谱仪EDS后发展成分析扫描电镜，不仅比X射线波谱仪WDS分析速度快、敏锐度高、也可进行定性和无标样定量分析。EDS发展十分敏捷，已成为仪器的一个主要组成部分，甚至与其融为一体。但是，EDS也存在不足之处，如能量分辩率低，一般为129—155eV,以及Si(Li)晶体需在低温下应用(液氮冷却)等。X射线波谱仪分辨率则高得多，通常为5—10eV，且可在室温下工作。1972年起EDAX公司发展了一种ECON系列无窗口探测器，可满足分析超轻元素时的一些特别需求，但Si(Li)晶体易受污染。1987年Kevex公司开发了能蒙受一个大气压力差的ATW超薄窗，避免了上述毛病，可以探测到B，C，N，O等超轻元素，为大批利用发明了条件。目前，美国Kevex公司的Quantifier,Noran公司的Extreme,Link公司的Ultracool, EDAX公司的Sapphire等Si(Li)探测器都属于这种单窗口超轻元素探测器，分辨率为129eV，133eV等，探测规模扩大到了5B— 92U。为战胜传统Si(Li)探测器需应用液氮冷却带来的不便，1989年Kevex公司推出了可不用液氮的Superdry探测器，Noran公司也生产了用温差电制冷的Freedom探测器(配有小型冷却循环水机)，和紧缩机制冷的Cryocooled探测器。这两种探测器必需昼夜24小时通电，合适于无液氮供给的单位。现在使用的大多还是改良的液氮冷却Si(Li)探测器，只需在实际工作时参加液氮冷却，平时不必保持液氮的供应。Zui近发展起来的高纯锗Ge探测器，不仅进步了分辨率，而且扩展了探测的能量范畴(从25keV扩大到100keV)，特殊实用于透射电镜：如Link的GEM型的分辨率已优于115eV(MnKα)和65eV(FKα)，Noran的Explorer

　　Ge探测器，探测范畴可达100keV等。1995年中国科学院上海原子核研讨所研制成了Si(Li)探测器，能量辨别率为152eV。中国科学院北京科学仪器研制中心也生产了X射线能谱分析系统Finder-1000，硬件鉴戒Noran公司的功效电路，配以该公司的探测器，采取 Windows操作体系，开发了自己的图形化能谱剖析系统程序。

　　2、X射线波谱仪和电子探针仪

　　现代SEM大多配置了EDS探测器以进行成分分析。当需低含量、精断定量以及超轻元素剖析时，则可再增添1到4道X射线波谱仪WDS。Microspec 公司的全聚焦WDX-400，WDX-600型分辨配有4块和6块不同的衍射晶体，能检测到5B(4Be)以上的各种元素。该谱仪可以倾斜方法装在扫描电镜试样室上，以便对程度放置的试样进行分析，而不必如垂直谱仪那样需用光学显微镜来准确调剂试样离物镜的工作间隔。

　　为满足大批多元素试样的超轻元素，低含量，高速定性、定量惯例分析的需求，法国Cameca公司长期生产电子探针仪，SX50和SXmacro型配备4道 WDS及1道EDS，物镜内装有同轴光学显微镜可以随时察看分析区域。岛津公司Zui近生产的盘算机把持EPMA-1600型电子探针，可配置2—5道WDS 和1道EDS，试样Zui大尺寸为100mm×100mm×50mm(厚)，二次电子图像分辨率为6nm。JEOL公司也生产了盘算机节制的JXA-8800 电子探针和JXA-8900系列WD／ED综合显微分析体系—超电子探针，可装5道X射线光谱仪和1道X射线能谱仪，元素分析范畴为5B—92U，二次电子图像分辨率为6nm。

　　Noran公司下属的Peak公司Zui近发展了一种崭新的APeX全参数X射线光谱仪，与传统的机械联动机构完整不同，由计算机掌握6个独立的伺服马达分离调节分光晶体的地位和倾角以及X射线探测器的X、Y坐标和狭缝宽度。配有4块尺度的分光晶体可分析5B(4Be)以上的元素。罗兰圆半径随分析元素而变，可分离为170，180，190和200mm，以获得Zui高的计数率，提高了分析精度和机动性。Noran公司还推出了称为MAXray的X射线平行束光谱仪，将Zui新的X光学研究结果——准平行束整体X光透镜置于试样上的X射线发射点和分析晶体之间，提高了吸收X射线的立体角，比一般WDS的强度提高了50 倍左右。可分析100eV—1.8keV能量规模内的K、L、M线，特别有利于低电压、低束流分析，对Be、B、C、N、O和F的分辨率可高达5— 15eV，兼有WDS的高分辨率和EDS的高收集效力。这两种新型X射线光谱仪可望得到普遍的应用。

　　3、场发射枪扫描电镜和低压扫描电镜

　　场发射扫描电镜得到了很大的发展〔24〕。日立公司推出了冷场发射枪扫描电镜，Amray公司则生产热场发射枪扫描电镜，不仅提高了常规加速电压时的分辨本领，还明显改良了低压性能。低压扫描电镜LVSEM由于可以提高成像的反差，减少甚至打消试样的充放电现象并减少辐照损伤，因此受到了人们的嘱目。 JEOL公司的JSM-6000F型场发射超高分辨SEM的分辨本领在加速电压30kV时达0.6nm，已接近TEM的水平，但试样必需浸没入物镜的强磁场中以减少球差的影响，所以尺寸受到限制，Zui大为23mm×6mm×3mm(厚)。试样半浸没在物镜磁场中的场发射JSM-6340F型可以观察大试样，加速电压15kV时分辨本领为1.2nm，低压1kV时为2.5nm。这两种SEM由于试样要处在磁场中所以不能观察磁性材料。使用CF校正场小型物镜可观察大试样的场发射JSM-6600F型分辨本领为2.5nm(1kV时为8nm)。日立公司也供给这几类产品如S-5000，S-4500和S- 4700型。

　　4、超大试样室扫描电镜

　　德国Visitec捷高公司的超大试样室Mira型扫描电镜。被检物的Zui大尺寸可为直径700mm，高600mm，长1400mm，Zui大重量可达300公斤，真空室长1400，宽1100和高1200mm。分辨本领4nm，加速电压0.3kV—20kV。是一种新的计算机节制、非损坏性的检讨分析测试装置，可用于产业产品的生产，质量治理，微机加工和工艺品的检讨研究等。

　　5、环境扫描电镜

　　80年代涌现的环境扫描电镜ESEM，依据须要试样可处于压力为1—2600Pa不同氛围的高气压低真空环境中，开拓了新的运用范畴。与试样室内为10- 3Pa的惯例高真空SEM不同，所以也可称为低真空扫描电镜LV-SEM。在这种低真空环境中，尽缘试样即使在高加速电压下也不会因呈现充、放电现象而无法观察；湿润的试样则可坚持其本来的含水自然状况而不发生形变。因此，ESEM可直接视察塑料、陶瓷、纸张、岩石、土壤，以及疏松而会排放气体的资料和含水的生物试样，无需先喷涂导电层或冷冻干燥处置。1990年美国Electro

　　Scan公司首先推出了商品ESEM。为了保证试样室内的高气压低真空环境，LV-SEM的真空系统须予以特别斟酌。目前，Amray, Hitachi,JEOL和LEO等公司都有这种产品。试样室为6—270Pa时，JSM—5600LV—SEM的分辨本领已达5.0nm，主动切换到高真空状况后便如常规扫描电镜一样，分辨本领达3.5nm。中国科学院北京科学仪器研制中心与化工冶金研究所合作，发展KYKY-1500高温环境扫描电子显微镜，试样Zui高温度可达1200℃，Zui高气压为2600Pa；800℃时分辨率为60nm，观察了室温下的湿玉米淀粉颗粒断面、食盐的结晶粒子，以及在 50Pa，900℃时铁矿中的针形Fe\-2O\-3等试样。

　　6、扫描电声显微镜

　　80年代初问世的扫描电声显微镜SEAM，采用了一种新的成像方法：其强度受频闪调制的电子束在试样表面扫描，用压电传感器接受试样热、弹性微观性质变更的电声信号，经视频放大后成像。能对试样的亚表面实现非损坏性的剖面成像。可利用于半导体、金属和陶瓷资料，电子器件及生物学等范畴。中国科学院北京科学仪器研制中心也发展了这种扫描电声显微镜，空间分辨本事为0.2—0.3μm。Zui近，中国科学院上海硅酸盐研讨所采用数字扫描产生器把持电子束扫描等技巧，进步了信噪比，使SEAM的图像质量得到了很大的改良。

　　7、测长／缺点检测扫描电镜

　　SEM不但在科学研究而且在工农业生产中得到了普遍的应用，特殊是电子计算机产业的兴起使其得到了很大的发展。目前半导体超大范围集成电路每条线的制作宽度正由0.25μm向0.18μm迈进。作为半导体集成电路生产线上Si片的常规检测工具，美国Amray公司推出了一种缺点检测3800型DRT扫描电镜，采用了加热到1800K的ZrO/W阴极肖脱基热场发射电子枪，具有良好的低加速电压性能：1kV时分辨本领达4nm，而且电子束流的稳固度优于1% /h、可长期持续工作，对直径为100，125，150，200mm的Si片，每小时可检测100个缺陷。日立公司为了克服以往在室温下工作的冷场发射枪测长扫描电镜(CD-SEM)因须要进行闪耀处置以往除发射尖上所吸附的气体分子而经常中止工作、影响在生产线上运用的毛病，Zui近也推出了这种ZrO/W 阴极热场发射电子枪的S-8000系列CD-SEM。为了战胜热场发射比冷场发射枪电子能量疏散大的缺陷，设计了阻滞场电磁物镜，并改良了二次电子探测器，在加速电压为800V时分辨本领为5nm，可以每小时20片，每片5个检测点的速度持续检测125—200mm直径的Si〔1,28〕。

　　8、晶体学取向成像扫描电子显微术

　　SEM的另一个新发展方向是以背散射电子衍射图样(EBSP)为基本的晶体学取向成像电子显微术(OIM)。在SEM上增添一个可将试样倾动约


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