接下来是让隧道扫描电子显微镜(SEM)来发挥了:
侧面照，那些金属小点直接连接至下面的电路部分
加大分辨率，点与点之间填充的应该是某种高分子化合物
似乎可以看见硅芯片表面的的一些细节了
继续加大分辨率，可以看出元件分层状况
10微米分辨率下已经清晰可见
200纳米分辨率，铜矿核心后期的工艺为0.18微米
再来一张整体预览
要看到下面的晶体管必须去除上面这些层
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